专利详情

专利名称	二氧化锆掺杂改性钛酸鍶钡－氧化镁基复合材料及其制备方法
申请号	CN200510110615.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1793006	公开（授权）日	2006.06.28
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	董显林;梁瑞虹
主分类号	C04B35/04(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/04(2006.01);C04B35/462(2006.01);C04B35/468(2006.01);C04B35/622(2006.01)
专利有效期	二氧化锆掺杂改性钛酸鍶钡－氧化镁基复合材料及其制备方法至二氧化锆掺杂改性钛酸鍶钡－氧化镁基复合材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种二氧化锆掺杂改性钛酸锶钡－氧化镁基(Ba_1－x Sr_xTiO_{3/MgO)复合材料及其制备方法。所述材料是以钛酸锶钡和氧化镁为基体，并在此基础上进行微量氧化锆的掺杂改性，组成为：(1－y)Ba_1－ xSr_xTiO3}+yMgO+zZrO_{2，其中0.35≤x≤0.45，y＝50wt％，0wt％＜z≤3.0wt％。其制备工艺是将原料BaCO₃， SrCO₃， TiO₂按固相法制备得到 Ba_1－ xSr_xTiO3} (BSTO)粉体，然后根据组成设计，将 BSTO粉体和不同量的MgO和 ZrO₂混合制备所述的复合材料，结果表明氧化锆的掺杂大大提高了介电常数的可调性，使得该类材料在偏置电场2.5kV/mm下具有14~17％的可调性并具有低介电常数、低微波损耗、良好温度稳定性等特点，特别适合相控阵移相器等微波器件用。