专利详情

专利名称	一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法
申请号	CN200510111477.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1793874	公开（授权）日	2006.06.28
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	陆卫;李天信;李志锋;邵军;陈平平;李宁;张波;陈效双
主分类号	G01N23/227(2006.01)	IPC主分类号	G01N23/227(2006.01);G01N13/00(2006.01);G01N1/28(2006.01)
专利有效期	一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法至一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。