专利详情

专利名称	一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法
申请号	CN200510110067.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1794362	公开（授权）日	2006.06.28
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	吴历斌;刘敏玲;黄富强;陈立东
主分类号	H01B1/00(2006.01)	IPC主分类号	H01B1/00(2006.01);H01B1/08(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/18(2006.01);B01J19/00(2006.01);C30B29/22(2006.01)
专利有效期	一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法至一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种可用于p型透明导体的层状结构化合物及其制备方法。本发明提供的材料组成为 La₅Cu_{6O₄S_{7，具体地说，本发明是利用后过渡金属铜的外层电子能级与硫的3p轨道能级接近，形成强相互作用的[CuS]层，提高电荷迁移率达到改善导电性；同时，利用宽能隙的[LaO]层掺入上述的[CuS]层间适当改善其透明度。室温条件下，该材料的本征导电率可以达到 10⁴S/cm(单晶)和 10¹S/cm(多晶)；800K以下，本发明材料可应用于p型透明导体及相关应用。本发明的设计思路独特，制备工艺简单，导电性能与n型透明导体接近并具有可见光区一定的透明度。}}