专利详情

专利名称	一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法
申请号	CN200510110784.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1793439	公开（授权）日	2006.06.28
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	任国浩;裴钰;陈晓峰;李中波;陆晟;沈勇
主分类号	C30B11/00(2006.01)	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01);C30B29/12(2006.01)
专利有效期	一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法至一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的 LaCl₃原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10－20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采用静止的双温区炉体结构，以微型电机驱动变速装置使坩埚以可调节的恒定速率下降。该技术在使用过程中具有操作简便、成本低、性能好和适合大批量生产等特点。本发明所生长的铈掺杂氯化镧(Ce∶LaCl₃)晶体适用于核医学成像SPECT(单光子正电子发射断层扫描成像)、核辐射探测、安全检查地质勘探等应用领域。