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一种P型透明导体材料及制备方法

  • 申请号:CN200510110065.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN1790554
  • 公开(公开)日:2006.06.21
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种P型透明导体材料及制备方法
申请号 CN200510110065.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1790554 公开(授权)日 2006.06.21
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 吴历斌;黄富强
主分类号 H01B1/00(2006.01) IPC主分类号 H01B1/00(2006.01);H01B1/08(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/18(2006.01);B01J19/00(2006.01);C04B35/622(2006.01);C30B29/22(2006.01)
专利有效期 一种P型透明导体材料及制备方法 至一种P型透明导体材料及制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种新型p型透明导体材料及其制备 方法。所提供的材料的结构式为 Sr3Cu2Sc2O5S2,主要根据功能模块 设计材料的思路,利用过渡金属铜与硫形成的[CuS]构成导电 功能层、钪与氧形成[ScO2]以及 [SrO]组成类钙钛矿结构的 [SrSc2O5]层、以及Sr层三者交替排列提高材料透明度,形成与 LaCuOS型化合物结构不同的、含钙钛矿结构层的新型层状化 合物 Sr3Cu2Sc2O5S2。本发明通过固相反 应制备粉体,然后用传统陶瓷工艺制备透明导体块体材料。本 发明的设计思路独特,合成工艺简单,透明度较 La5Cu6O4S7型导体提高并具有相当导电率。

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