专利详情

专利名称	超临界二氧化碳涂胶系统
申请号	CN200920313385.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201569851U	公开（授权）日	2010.09.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王磊;景玉鹏
主分类号	G03F7/16(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/16(2006.01)I
专利有效期	超临界二氧化碳涂胶系统至超临界二氧化碳涂胶系统	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供了一种超临界二氧化碳涂胶系统，属于半导体技术领域。所述系统包括：储料装置，至少包括容纳二氧化碳的第一存储罐和容纳光刻胶的第二存储罐；超临界二氧化碳涂胶腔，包括腔体；喷射二氧化碳和光刻胶的喷头，喷头位于腔体内，并通过控制二氧化碳和光刻胶喷射的泵连通至腔体外的储料装置；以及支承硅片的支架，支架位于腔体内且位于喷头下方；分别与腔体连通的温度控制装置和压力检测装置。利用本系统，能够形成厚度均匀、附着力强的薄膜，并且工艺简化、设备和环境要求不高；同时，使用的超临界二氧化碳化学稳定性好，表面张力几乎为零，且对环境无污染。