专利详情

专利名称	高速无等离子体硅刻蚀系统
申请号	CN200920313341.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201567390U	公开（授权）日	2010.09.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	景玉鹏;王磊
主分类号	C30B33/12(2006.01)I	IPC主分类号	C30B33/12(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I
专利有效期	高速无等离子体硅刻蚀系统至高速无等离子体硅刻蚀系统	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型提供了一种高速无等离子体硅刻蚀系统，属于半导体技术领域。该系统包括：容纳刻蚀材料的供料装置；与供料装置连接的刻蚀腔；刻蚀腔包括：腔体；角度可调整的喷嘴，喷嘴固定于腔体内的一侧；支承待刻蚀硅片的支架，支架固定于腔体内，并且位于喷嘴相对的另一侧；掩蔽板，掩蔽板位于喷嘴与支架之间，固定于腔体内壁，在掩蔽板上与喷嘴对应的位置形成有供刻蚀材料穿过的孔或缝。利用本实用新型，可以解决目前的刻蚀技术中刻蚀选择比差、速率低等问题，能够提高刻蚀速率和刻蚀选择比，并且提高系统的安全性。