专利详情

专利名称	一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法
申请号	CN200510030637.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1780012	公开（授权）日	2006.05.31
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;马友鹏;封松林;陈邦明
主分类号	H01L45/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)
专利有效期	一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法至一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO₂，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的纳米点。接着沉积一层SiO₂，用 CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见图8。施加脉冲信号，并测量其I－V特性，电阻率有较大的变化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提供了一种新的方法。