专利详情

专利名称	铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法
申请号	CN200510105784.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1780045	公开（授权）日	2006.05.31
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张雪强;孟庆端;李翡;孙亮;黄建冬;张强;何豫生;李春光;何艾生;黎红
主分类号	H01P1/18(2006.01)	IPC主分类号	H01P1/18(2006.01);H03H11/16(2006.01);H03H17/08(2006.01);H03H9/66(2006.01)
专利有效期	铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法至铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种铁电薄膜移相器，为在共面线上双周期性地装载铁电可调电容，共面线包括一条传输线和两个位于传输线两侧的接地面，接地面和传输线共同附着在基片的同一平面上，接地面与传输线之间是等宽度的缝；本发明还公开了一种检测与优化铁电薄膜移相器反射特性的方法，将相邻两段传输线的长度固定，改变装载可调电容的位置，通过计算机仿真查看这种结构的反射及传输特性曲线，调整装载铁电可调电容的位置，利用仿真得出的反射频率响应曲线，比较判断出具有反射损耗比较小且工作带宽又比合适的最终结构。本发明可以增加移相器的工作频率带宽，在较高的频率范围内，有利于提高器件的品质因子。