专利详情

专利名称	背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
申请号	CN200410081010.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1755954	公开（授权）日	2006.04.05
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	马龙;王良臣;王立彬;郭金霞;伊晓燕
主分类号	H01L33/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L33/00(2006.01)
专利有效期	背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法至背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长N型氮化镓层，多量子阱发光有源区和P型氮化镓层；光刻刻蚀到N型氮化镓层内，制备P型欧姆接触电极和N型欧姆接触电极；划片将外延片上的管芯分割成单个管芯；在硅片上双面生成二氧化硅绝缘隔离层，在正面制备金属电极，背面光刻出背孔图形；形成背孔；在硅片正面采用厚胶光刻电镀凸点图形；在硅片背面制备一层低熔点的合金，形成管座；在管座背面直接与管壳热沉相接；将管芯和管座正面通过金属凸点焊接起来，从硅片正面制作的金属电极上引出发光二极管的N电极，从管壳热沉的背面引出发光二极管的P电极。