专利详情

专利名称	一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺
申请号	CN200410080409.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1754860	公开（授权）日	2006.04.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;王大海;柴淑敏
主分类号	C04B35/622(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/622(2006.01);C04B35/58(2006.01)
专利有效期	一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺至一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺	法律状态	授权
说明书摘要	一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成TiN/Ni/Si结构，同时改进清洗方法，优化薄膜厚度和硅化反应的条件，获得了很好的结果。不但薄膜的薄层电阻明显减小，而且热稳定性有了明显的提高，即由低阻NiSi相向高阻 NiSi₂相转变的温度提高了，浅结漏电流得到改善。与常规Ti和Co硅化物工艺比较，该方法工艺步骤少，成本低，器件性能改善显著，因而极具吸引力。特别在亚50纳米技术中是常规Ti和Co硅化物工艺所不可替代的工艺。