一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法
- 申请号：CN200410074677.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN1750242
- 公开(公开)日：2006.03.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法 | ||
| 申请号 | CN200410074677.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1750242 | 公开（授权）日 | 2006.03.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤;谢玲 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) |
| 专利有效期 | 一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法 至一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方 法，通过工艺诱生应力工程在沟道区引入希望的应力来提高沟 道中空穴迁移率。该方法的核心就是在PMOS延伸区低能 BF2 (或B)注入前，首先对Si延 伸区进行Ge预非晶化注入，然后再低能注入 BF2或B。这一方法不仅仅提高 了B的激活效率，使PMOS延伸区薄层电阻大大降低，更重 要的是它使空穴迁移率大幅度提高，其本质是沟道区在应力作 用下能带结构发生变化所致。 | ||
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