专利详情

专利名称	金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法
申请号	CN201010269029.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102386076A	公开（授权）日	2012.03.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李永亮;徐秋霞
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法至金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法，属于集成电路制造技术领域。该方法包括：在半导体衬底上依次形成界面层、高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和硬掩膜层；根据需要形成的栅极图案对所述硬掩膜层和多晶硅层进行刻蚀；采用预刻、主刻和过刻工艺对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行刻蚀；其中，在对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行主刻时，采用包括BCl3和SF6的混合气体作为工艺气体。本发明适用于CMOS器件中引入高K介质、金属栅材料后的栅结构刻蚀工艺。