专利详情

专利名称	基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法
申请号	CN201110385093.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102376874A	公开（授权）日	2012.03.14
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张杨;曾一平
主分类号	H01L43/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I
专利有效期	基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法至基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层，该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上；一下隔离层，该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上；一沟道层，该沟道层生长在十字结构下隔离层上；一上隔离层，该上隔离层生长在十字结构沟道层上；一上掺杂层，该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上；一帽层，该帽层生长在十字结构上势垒层上；欧姆接触电极，制作在十字结构的帽层的四端部的上面。