专利详情

专利名称	氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
申请号	CN200510028370.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1744287	公开（授权）日	2006.03.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	雷本亮;于广辉;齐鸣;叶好华;孟胜;李爱珍
主分类号	H01L21/31(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/31(2006.01)
专利有效期	氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法至氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE 制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧化铝，再放入HVPE系统中生长GaN层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延的选择性，HVPE生长GaN时将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度，提高了GaN层的质量。简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于批量生产时采用。