专利详情

专利名称	氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
申请号	CN200510028366.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1737195	公开（授权）日	2006.02.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	雷本亮;于广辉;齐鸣;叶好华;孟胜;李爱珍
主分类号	C23C16/34(2006.01)	IPC主分类号	C23C16/34(2006.01)
专利有效期	氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法至氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓 (GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在 GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续 HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区掩膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层的GaN会分解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，由于气相外延的选择性，HVPE生长时GaN将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度。简单易行，适合于批量生产采用。