专利详情

专利名称	直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法
申请号	CN200510029096.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1737998	公开（授权）日	2006.02.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李爱珍;郑燕兰;李华;胡雨生;张永刚;茹国平;陈正秀
主分类号	H01L21/205(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01);H01L21/22(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/343(2006.01);C23C16/44(2006.01)
专利有效期	直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法至直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III－V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤X_Al ≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差 2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。