专利详情

专利名称	用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法
申请号	CN200510029022.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1737611	公开（授权）日	2006.02.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	徐刚毅;李爱珍
主分类号	G02B5/18(2006.01)	IPC主分类号	G02B5/18(2006.01);G02B5/32(2006.01);G03F7/00(2006.01);G02B27/44(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/20(2006.01)
专利有效期	用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法至用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及用于制备中红外量子级联激光器光栅的全息光栅刻蚀方法。包括基于用全息技术制备一级光栅，通过精确控制两束相干光束的夹角得到高精度的光栅周期，建立和优化适用于中红外量子级联激光器的全息光栅曝光系统、光栅刻蚀清洗工艺、适合光栅曝光的特殊光刻胶稀释液和显影液，显影过程光栅衍射效果和形貌的在线实时监控方法。具体工艺流程包括(1)光栅衬底的清洗；(2)涂布光刻胶；(3)光刻胶的前烘培；(4)在干涉系统中曝光；(5)显影；(6)光刻胶的坚膜； (7)光栅衬底的腐蚀；(8)除光刻胶。运用本发明已成功地制备出高质量7.6微米中红外单模可调谐InP基分布反馈量子级联激光器。本发明方法也适用於其它中远红外半导体激光器光栅制备。