专利详情

专利名称	适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
申请号	CN200410058037.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1734732	公开（授权）日	2006.02.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	魏珂;和致经;刘新宇;刘健;吴德馨
主分类号	H01L21/3205(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/3205(2006.01);B32B15/01(2006.01)
专利有效期	适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统至适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温度的范围为660℃－760℃，合金时间在20－60S的范围内。该技术的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。