专利详情

专利名称	磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
申请号	CN200510029275.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1731638	公开（授权）日	2006.02.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李爱珍;陈建新;李华;徐刚毅;张永刚;林春;杨全魁;李存才;胡建
主分类号	H01S5/30(2006.01)	IPC主分类号	H01S5/30(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/00(2006.01)
专利有效期	磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法至磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷 GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/ GaInAs/AlInAs/ InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs 或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不不间断连续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。