专利详情

专利名称	磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
申请号	CN200510028755.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1731636	公开（授权）日	2006.02.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李爱珍;陈建新;徐刚毅;张永刚
主分类号	H01S5/30(2006.01)	IPC主分类号	H01S5/30(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01)
专利有效期	磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法至磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在10¹⁸cm^－ 3高施主掺杂InP衬底上外延生长1－5× 10¹⁷cm^－ 3电子浓度的InP缓冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1－5× 10¹⁷cm^－ 3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8－3× 10¹⁷cm^－ 3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。