专利详情

专利名称	一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法
申请号	CN201110216528.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102436929A	公开（授权）日	2012.05.02
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	王焱;孙静;靳喜海;刘阳桥
主分类号	H01G4/008(2006.01)I	IPC主分类号	H01G4/008(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I
专利有效期	一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法至一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法，其特征在于以具有高导电氮化物单元(核)/高介电绝缘层结构(壳)的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元，采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器。所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO3/TiN、BaTiO3/ZrN、CaTiO3/TiN、MgTiO3/NbN、(Ba，Sr)TiO3/TiN和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/NbN等。本发明的设计理念突破了传统晶界层电容器仅限于SrTiO3和BaTiO3等极个别陶瓷材料这一缺点，将其推广到一系列高介电陶瓷材料，从而可以大大扩展“晶界层电容器”的家族规模。