专利详情

专利名称	一种相变存储器的模拟方法
申请号	CN201010022539.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101763452A	公开（授权）日	2010.06.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	龚岳峰;宋志棠;凌云;刘燕;李宜瑾
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器的模拟方法至一种相变存储器的模拟方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器的模拟方法，包括以下步骤：A.根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型；B.当相变存储单元负载电流时，相变材料的电导率设定为等效熔融态电导率为1041/Ωm量级的固定值；当负载电压时，相变材料的电导率设定为等效晶态电导率，通过计算而得，式中R为基准电阻；C.利用有限元计算法根据电热耦合方程计算出相变存储单元负载不同电流或电压下的电势分布和温度分布；D.根据相变材料的熔融区域，计算相变存储单元在负载不同电流或者电压下的电阻值，从而得到RI关系曲线或RV关系曲线。本发明通过引入基准电阻，求得不同工艺尺寸下相变材料的等效电导率，能够在不同工艺尺寸下模拟器件的电场和热场及RI和RV的关系。