专利详情

专利名称	一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法
申请号	CN201110118753.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102393862A	公开（授权）日	2012.03.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	曹俊诚;徐公杰;伍滨和
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I
专利有效期	一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法至一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法。该方法首先写出约瑟夫森结中狄拉克方程，并对传播方向的哈密顿量进行离散化；利用Floquet定理，将结中由偏压产生的交流效应展开在非平衡格林函数的形式中；然后利用两端的自能项，求出两端的格林函数，进而求出传输区域的格林函数；再由电流公式分别求出直流与交流项；最终，可根据需要调整栅压分布，对负微分电导现象及电流幅度进行优化；由于格林函数在处理微观机制上的优势，因此比较容易考虑电子-声子、电子-电子相互作用等。