专利详情

专利名称	高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法
申请号	CN201110362040.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102392294A	公开（授权）日	2012.03.28
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	张可锋;林杏潮;张莉萍;邵秀华;王仍;焦翠灵;陆液;杜云辰;宋坤骏;李向阳
主分类号	C30B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B13/00(2006.01)I
专利有效期	高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法至高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导体材料的制备。实现方式主要包括以下三点：1、舟盖上有两个凹槽设计，所以可以使具有较低熔点的杂质材料先挥发出来凝结在舟盖上，当加热炉体经过时，其熔化回流凝结在凹槽中，实现真空蒸馏；2、舟盖两端各有一个小孔，由于载料舟是放置在一个可抽真空的区熔炉腔体内，因此通过这两个小孔可对舟内部抽真空，当材料熔化时可以实现真空脱气；3、当区熔炉加热炉体经过载料舟时，可以实现区熔提纯。