专利详情

专利名称	一种增强分子拉曼散射的基底制作方法
申请号	CN201010101588.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101776604A	公开（授权）日	2010.07.14
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	邓启凌;杜春雷;杨兰英;史立芳;尹韶云
主分类号	G01N21/65(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/65(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	一种增强分子拉曼散射的基底制作方法至一种增强分子拉曼散射的基底制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种增强分子拉曼散射的基底制作方法，(1)选用衬底材料、清洗并作亲水处理；(2)在衬底表面制作出微纳结构层；(3)将微纳结构层金属化，获得附着有纳米金属结构的衬底；(4)对步骤(3)得到的衬底表面修饰，得到表面装饰层，所述的表面修饰为根据待探测分子性质，制备气敏界面、或分子生物膜、或吸附膜、或表面活化材料，以提高基底富集待测分子的能力并对基底进行活化的行为；(5)对带有表面修饰层的衬底附加待测分子；(6)改变衬底周围外部介质环境，以提高待测分子拉曼散射增强效应；所述的衬底周围外部介质环境包括周围环境材料、或激发光波长、或光场分布、或磁场分布。本发明可用于高灵敏度探测，同时该基底具有可控性、一致性、重复性、稳定性高等优点。