专利详情

专利名称	全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备
申请号	CN200810229877.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101748392A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司	发明（设计）人	赵科新;奚建平;赵崇凌;张冬;洪克超;段鑫阳;张健;徐宝利;李士军;高振国;崔秀伟
主分类号	C23C16/513(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/513(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I
专利有效期	全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备至全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存在的需要在真空条件下进行工作等问题。该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，PECVD室通过管路连接真空抽气系统。本发明只给PECVD室提供了真空环境，其余部分都在大气或是保护气体下进行工作。本发明在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式PECVD和多腔室平板式PECVD的技术指标。