专利详情

专利名称	金属有机物化学沉积设备的反应室
申请号	CN201010033963.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101748377A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;殷海波;张露;李晋闽
主分类号	C23C16/18(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/18(2006.01)I
专利有效期	金属有机物化学沉积设备的反应室至金属有机物化学沉积设备的反应室	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。