一种制备高纯α-Al2O3纳米晶体材料的方法
- 申请号：CN200810072286.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN101746786A
- 公开(公开)日：2010.06.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备高纯α-Al2O3纳米晶体材料的方法 | ||
| 申请号 | CN200810072286.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101746786A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 卢灿忠;常金晶 |
| 主分类号 | C01F7/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01F7/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备高纯α-Al2O3纳米晶体材料的方法 至一种制备高纯α-Al2O3纳米晶体材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备高纯α-Al2O3纳米晶体材料的方法。首先将硝酸铝溶解于含羟基的有机溶剂中，然后向其中加入多羟基有机物，两种有机物间发生羟基缩合反应，形成稳定的网络状金属络合物。然后将此溶液持续加热，形成松散的大体积有机前驱体。最后，将经过研磨的前驱体粉末进行煅烧，可得到均匀的高纯度α-Al2O3纳米晶体材料。本发明具有工艺简单，成本低廉，制备周期短，产物纯度高，重复性好，粒径分布窄，结晶性好的特点。 | ||
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