专利详情

专利名称	一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器
申请号	CN201210405474.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102938422A	公开（授权）日	2013.02.20
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	黄志明;童劲超;黄敬国;褚君浩
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I
专利有效期	一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器至一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。具有可室温工作，探测灵敏度高，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点，可以对太赫兹波信号进行成像检测。