专利详情

专利名称	晶体管及其制造方法
申请号	CN201010532061.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468165A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I
专利有效期	晶体管及其制造方法至晶体管及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中仅所述源区包含至少一个位错。本发明的晶体管制造方法包括在形成了栅极的半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述栅极以及所述半导体衬底；图形化该掩膜层，使得仅源区的至少一部分暴露；对所述源区的暴露部分进行第一离子注入步骤；以及对所述半导体衬底进行退火以在源区的暴露部分形成位错。