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磁控溅射设备

  • 申请号:CN201220378504.3
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:深圳先进技术研究院;香港中文大学
  • 公开(公开)号:CN202717842U
  • 公开(公开)日:2013.02.06
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 磁控溅射设备
申请号 CN201220378504.3 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202717842U 公开(授权)日 2013.02.06
申请(专利权)人 深圳先进技术研究院;香港中文大学 发明(设计)人 贺凡;肖旭东;刘壮;陈昊
主分类号 C23C14/35(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/35(2006.01)I
专利有效期 磁控溅射设备 至磁控溅射设备 法律状态
说明书摘要 本实用新型涉及一种磁控溅射设备,包括衬底、靶材以及加热灯组件;所述靶材与衬底相对,所述加热灯组件为两组,对称设置在所述靶材的两侧,对所述衬底进行加热。本实用新型使用加热灯组件对衬底进行加热,取代电热丝,从而避免电热丝短路或者烧断。加热灯组件直接作用于衬底沉积有薄膜的一面,使得加热效果更好,并且能够避免衬底背表面温度过高而使衬底变形,加热灯组件结构简单,维持和更换也更方便。同时,加热灯组件对辉光区进行加热,加热了溅射粒子,使得溅射粒子到达衬底表面后,其能量会比电热丝加热时的要大,加热效果更好,从而使得制备的薄膜性能也大大提高。

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