专利详情

专利名称	一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
申请号	CN201110203161.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102306631A	公开（授权）日	2012.01.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王栋良;罗乐;徐高卫;袁媛
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I
专利有效期	一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法至一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu，之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。