专利详情

专利名称	用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法
申请号	CN201210408491.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102903775A	公开（授权）日	2013.01.30
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	邢宇鹏;韩培德;范玉杰;王帅;梁鹏
主分类号	H01L31/042(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法至用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构，包括：一钝化膜；一第一掺杂层，制作在钝化膜上的中间部位；一硅衬底，制作在第一掺杂层上的中间部位；一第二掺杂层，制作在硅衬底上，其长度大于衬底的长度，与第一掺杂层的长度相同；一钝化减反膜，制作在第二掺杂层上，其长度大于第二掺杂层的长度，与钝化膜长度相同；一第三掺杂层，制作在硅衬底的一侧，并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部；一第四掺杂层，制作在硅衬底的另一侧，并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部；一第一电极，制作在第三掺杂层上，该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平；一第二电极，制作在第四掺杂层上，形成电池单元；该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。