专利详情

专利名称	一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe₂薄膜的方法
申请号	CN201010211713.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102054899A	公开（授权）日	2011.05.11
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	陈祥洲;刘伟丰;江国顺;朱长飞
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe₂薄膜的方法至一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe₂薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备CuInSe2薄膜的方法。该方法，包括如下步骤：1)将铜盐和铟盐溶于有机溶剂中后，加入硝酸水溶液混匀，再加入乙醇胺进行反应，至反应体系的pH值为6时反应完毕，密封保温后得到前驱体溶胶；2)将所述前驱体溶胶成膜，干燥后在氢气气氛中进行还原，所述还原反应完毕冷却至室温后再与硒粉进行硒化反应，反应完毕冷却至室温后得到所述CuInSe2薄膜。该方法简单可行，成本低，所得薄膜质量高，是一种应用于大规模低成本的铜铟硒薄膜太阳能电池有效方法。

交易流程

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2、平台验证，实名审核

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4、专员跟进，交易保障

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