用于化学气相沉积设备中的气体墙结构
- 申请号:CN201020547566.3
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN201826013U
- 公开(公开)日:2011.05.11
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 用于化学气相沉积设备中的气体墙结构 | ||
申请号 | CN201020547566.3 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN201826013U | 公开(授权)日 | 2011.05.11 |
申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 王国斌;朱建军;邱凯;张永红 |
主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
专利有效期 | 用于化学气相沉积设备中的气体墙结构 至用于化学气相沉积设备中的气体墙结构 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本实用新型涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀间隙的气隙结构,其中每一气隙结构包括沿周向均匀分布的多个进气缝隙、一延伸壁和一导流壁,延伸壁和导流壁沿进入该气隙结构的气流运动方向依次分布在内管内腔中,延伸壁一端固定在内管内壁上,另一端盖过进气缝隙,导流壁为设置在内管内壁上的倾斜面。本实用新型藉设于一系列交错相连的壁面之间的进气缝隙,令由进气缝隙进入的气体在壁面内侧形成气体墙,从而补偿反应源的沿程损失或者防止壁面的寄生沉积,可应用在化学气相沉积设备中的不同位置。 |
交易流程
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专利 -
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