专利详情

专利名称	电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法
申请号	CN200910236719.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102054668A	公开（授权）日	2011.05.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;周华杰
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法至电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种电子束正性光刻胶Zep?520掩蔽介质刻蚀的方法，在介质瞙上沉积一层α-Si薄膜，然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Zep?520胶图形作为掩瞙，用氯(Cl)基等离子刻蚀α-Si，将高分辨率Zep?520胶图形转移到其下层的α-Si瞙上，接着去除Zep?520胶，进一步利用具有良好保真性的α-Si瞙图形为掩膜，采用F基反应离子刻蚀介质形成凹槽图形，最后用湿法或干法将α-Si瞙去净即可。本发明提供的方法简单可行，完全与CMOS工艺兼容，不增加专门的设备，成本低，易于在介质中实现高精度的纳米尺度凹槽图形，解决了新结构CMOS器件制备中的一大难题。