专利详情

专利名称	一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法
申请号	CN201010546594.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102051592A	公开（授权）日	2011.05.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心	发明（设计）人	夏洋;饶志鹏;刘键
主分类号	C23C16/26(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/26(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I
专利有效期	一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法至一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在碳化硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述碳碘键通过光照发生断裂，在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单原子层厚度石墨烯薄膜，该制备方法更加有利于碳原子的沉积和石墨烯的生长，即制备出的石墨烯薄膜厚度更均一，结构更完整，性能更优良。