一种Ti3SiC2基粉体的制备方法
- 申请号:CN200910198406.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN102050448A
- 公开(公开)日:2011.05.11
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 | ||
申请号 | CN200910198406.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102050448A | 公开(授权)日 | 2011.05.11 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 杨金山;董绍明;丁玉生;王震;周海军 |
主分类号 | C01B31/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/30(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I |
专利有效期 | 一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 至一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供一种Ti3SiC2基粉体的制备方法。本发明采用(1)将钛粉和聚碳硅烷按照重量比(0.71~2.48)∶1混合并溶于有机溶剂,搅拌烘干使其均匀混合;(2)对烘干的粉料低温裂解,温度为800℃~1200℃,保温时间0.5~2小时,升温速度2~7℃/min,获得初步反应物;(3)对初步反应物高温处理,温度为1400~1600℃,保温时间0.5~2小时,升温速度2~7℃/min。根据原料组分重量比不同,获得Ti3SiC2基粉体材料。结果显示,钛粉基本转化为Ti3SiC2。相比传统方法,高纯Ti3SiC2粉体纯度较高,粒度较小,结晶度较高。 |
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