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一种Ti3SiC2基粉体的制备方法

  • 申请号:CN200910198406.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102050448A
  • 公开(公开)日:2011.05.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种Ti3SiC2基粉体的制备方法
申请号 CN200910198406.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102050448A 公开(授权)日 2011.05.11
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 杨金山;董绍明;丁玉生;王震;周海军
主分类号 C01B31/30(2006.01)I IPC主分类号 C01B31/30(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I
专利有效期 一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 至一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种Ti3SiC2基粉体的制备方法。本发明采用(1)将钛粉和聚碳硅烷按照重量比(0.71~2.48)∶1混合并溶于有机溶剂,搅拌烘干使其均匀混合;(2)对烘干的粉料低温裂解,温度为800℃~1200℃,保温时间0.5~2小时,升温速度2~7℃/min,获得初步反应物;(3)对初步反应物高温处理,温度为1400~1600℃,保温时间0.5~2小时,升温速度2~7℃/min。根据原料组分重量比不同,获得Ti3SiC2基粉体材料。结果显示,钛粉基本转化为Ti3SiC2。相比传统方法,高纯Ti3SiC2粉体纯度较高,粒度较小,结晶度较高。

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