专利详情

专利名称	一种纳米高纯二氧化硅的制备方法
申请号	CN200410049864.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1712352	公开（授权）日	2005.12.28
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所	发明（设计）人	马兵;陈运法;张建森
主分类号	C01B33/113	IPC主分类号	C01B33/113;C01B33/18
专利有效期	一种纳米高纯二氧化硅的制备方法至一种纳米高纯二氧化硅的制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的制备方法，其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相法制备纳米SiO₂，包括：将空气或氧气净化后送入高频等离子体发生器，在震荡功率30KW、频率3～4MHz的条件下，产生等离子态的氧；将 SiCl₄在200～300℃温度下气化后，送入等离子体化学反应器，与氧等离子体在1200～1800 ℃下进行反应，反应物在反应器内停留0.15～1秒，采用除疤装置除疤，送入的SiCl₄与氧气的摩尔比为1∶1.2～2；最后通入干燥的空气或 N₂气，将二氧化硅晶核淬冷至 300℃以下，收集粉体、除氯，得到本发明的纳米高纯二氧化硅。该方法工艺流程简单，产品粉体不易团聚，分散度好，产品颗粒的尺寸、分布和形貌可控，且生产量大，不会带来环境问题。