气相沉积制备单晶掺杂氧化锌纳米管的方法及其装置
- 申请号:CN200510011920.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN1696342
- 公开(公开)日:2005.11.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 气相沉积制备单晶掺杂氧化锌纳米管的方法及其装置 | ||
申请号 | CN200510011920.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1696342 | 公开(授权)日 | 2005.11.16 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 周少敏;张晓宏;孟祥敏 |
主分类号 | C23C16/46 | IPC主分类号 | C23C16/46;C23C16/40 |
专利有效期 | 气相沉积制备单晶掺杂氧化锌纳米管的方法及其装置 至气相沉积制备单晶掺杂氧化锌纳米管的方法及其装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明属于低维纳米材料和纳米技术领域,特别 涉及一种用箱式电阻炉通过流变相化学反应与物理气-液- 固晶体生长机制相结合的气相沉积制备单晶掺杂氧化锌纳米 管的方法及其装置。该方法是将氧化锌粉末及用于掺杂的选自 锑、镉、铜及铁中任一种金属氧化物粉末混合,溶解在稀醋酸 或稀硝酸溶液中制成锌盐溶液,然后与聚乙烯醇混合,加热, 搅拌,陈化形成凝胶,将其移入带有盖的石英钳埚中,在箱式 电阻炉中升温,加热,反应,冷却,大量的单晶掺杂氧化锌纳 米管生成,掺杂量为氧化锌的0.1~5%mol,直径为20~200nm, 长度达0.5~10μm。该方法工艺简单,对设备要求低,可控程 度高,是单晶掺杂氧化锌纳米管制备的好方法和好装置。 |
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