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三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用

  • 申请号:CN200510016768.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
  • 公开(公开)号:CN1696107
  • 公开(公开)日:2005.11.16
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用
申请号 CN200510016768.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1696107 公开(授权)日 2005.11.16
申请(专利权)人 中国科学院长春应用化学研究所 发明(设计)人 王利祥;杨继华;逄束芬;王兴东;程延祥;吕剑虹;耿延候;谢志元
主分类号 C07C211/54 IPC主分类号 C07C211/54;C07C211/57;C07C209/10;C07D209/86
专利有效期 三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用 至三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明是一种用于电致发光器件的空穴传输和 注入材料——三芳胺类衍生物的低温制备方法,属于电子技术 材料领域。采用铜粉和邻菲咯啉为催化剂,在氢氧化钾存在下, 普通芳烃为溶剂,以卤代芳烃为原料,与二芳胺或咔唑在较低 温度下(120-150℃)反应5小时,通过适当的后处理过程获得 三芳胺类衍生物。利用该方法获得的这类产物为粉末状,纯度 较高,可以不经过色谱柱分离,而直接采用升华方法完成产物 的纯化精制。

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