
掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法
- 申请号:CN200510025560.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
- 公开(公开)号:CN1694322
- 公开(公开)日:2005.11.09
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法 | ||
申请号 | CN200510025560.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1694322 | 公开(授权)日 | 2005.11.09 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明(设计)人 | 赵广军;徐军;介明印;苏良碧;徐晓东;张连翰;何晓明 |
主分类号 | H01S3/16 | IPC主分类号 | H01S3/16;C30B29/00;C30B15/00 |
专利有效期 | 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法 至掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法,该激光 晶体的分子式为: Yb2xGd2(1- x) SiO5,其中x 的取值范围为:0.001≤x≤0.4。其制备方法包括配料、混合粉 料、烧结、籽晶、提拉法生长和退火处理等步骤。本发明掺镱 硅酸钆激光晶体是一种宽调谐超快激光晶体,具有:宽发射 1010-1100nm,离子反转数β=0.5时,半高宽约为70nm;较 高的热导率;晶体生长容易,物化性能稳定等优点。 |
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