专利详情

专利名称	室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法
申请号	CN200510026024.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1693858	公开（授权）日	2005.11.09
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	禇君浩;林铁;孙璟兰;石富文;胡志高;陈静;孟祥建
主分类号	G01J5/20	IPC主分类号	G01J5/20;H01L31/09
专利有效期	室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法至室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法，所说的吸收层是置在焦平面探测器的上电极层上的，或者是置在焦平面探测器的铁电薄膜上的钛与二氧化钛混合的多孔薄层。制备方法首先采用直流磁控溅射方法将金属Ti溅射铁电薄膜上或上电极层上，然后利用化学腐蚀的方法，将钛膜腐蚀成多孔态，目的是为了降低薄膜中自由电子密度，将其等离子吸收边调节到探测器应用的红外波长。薄膜多孔结构中高密度的表面态对入射进来的电磁波进一步吸收使之不同于通常金属。本发明的优点：与常规的金黑吸收层工艺相比，本吸收层制备工艺简单，可以通过光刻以及腐蚀或干法刻蚀等途径制备成分立灵敏元结构。