专利详情

专利名称	一种探测集成电路衬底噪声的方法
申请号	CN200910025230.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101813748A	公开（授权）日	2010.08.25
申请（专利权）人	苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	程绮文;张耀辉
主分类号	G01R31/3167(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/3167(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I;G01R23/16(2006.01)I
专利有效期	一种探测集成电路衬底噪声的方法至一种探测集成电路衬底噪声的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明提供一种探测集成电路衬底噪声的方法，设计一个采用PMOS管组成的信号通路，采用折叠式结构的两级放大器，作为衬底噪声探测电路，衬底噪声探测电路包括噪声信号耦合部分和信号放大电路，衬底噪声探测电路给出噪声的准确时域波形，经过快速傅里叶变化，通过频域信息，得到噪声在频域上的特点，同时能避免在信号通路中因使用NMOS管而引入的噪声，进而为如何减少，甚至避免数字电路引入的衬底噪声对敏感的模拟电路的影响，缩短SOC的设计周期和提高其成功率。