
聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法及其产品
- 申请号:CN200910078530.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号:CN101812219A
- 公开(公开)日:2010.08.25
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法及其产品 | ||
申请号 | CN200910078530.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101812219A | 公开(授权)日 | 2010.08.25 |
申请(专利权)人 | 中国科学院化学研究所 | 发明(设计)人 | 王峰;阳明书;丁艳芬;张世民 |
主分类号 | C08L67/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C08L67/02(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I |
专利有效期 | 聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法及其产品 至聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法及其产品 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明属于有机无机纳米杂化材料的制备领域,特别涉及聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法及其由该方法获得的产品。本发明的方法是对现有的溶胶-凝胶法进行改进,在聚酯溶液中加入正硅酸酯溶胶溶液,待有机溶剂挥发后进行条件温和的水热处理,使得正硅酸酯的水解缩合反应在聚合物中原位进行。使用本发明提供的聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法,可以得到粒径为5~200nm的纳米二氧化硅颗粒均匀分散在基体中,且粒径分布较均一的聚酯/二氧化硅纳米杂化材料。本发明的方法与现有技术相比,本发明的方法实现了不需要对纳米二氧化硅进行表面处理就可以达到均匀分散的目的,且工艺简单,反应条件温和。 |
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