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一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法

  • 申请号:CN201010594825.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 公开(公开)号:CN102011090A
  • 公开(公开)日:2011.04.13
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法
申请号 CN201010594825.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102011090A 公开(授权)日 2011.04.13
申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 汪爱英;陈锋光;孙丽丽
主分类号 C23C14/06(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I
专利有效期 一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法 至一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法,该基体与TiAlN/TiAlCN多层膜涂层之间为过渡涂层,该多层膜涂层由TiAlN膜与TiAlCN膜交替层叠形成周期排列,在一个周期中,TiAlN膜与TiAlCN膜的厚度之和为1纳米~20纳米,TiAlCN膜中C原子的原子百分含量为0.1%~5%。本发明的多层膜涂层具有高硬度、低内应力以及高韧性,能够提高基体的切削效率与抗腐蚀性,延长基体的使用寿命。本发明通过高功率脉冲磁控溅射技术沉积该多层膜涂层,克服了阴极电弧离子镀沉积速率太快无法制备纳米外延膜,以及直流磁控溅射制备薄膜过程中发生靶中毒的问题,通过调节基体的自转和公转速率以及调节对靶的数量,达到控制纳米调制周期的目的。

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