一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法
- 申请号:CN201010594825.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 公开(公开)号:CN102011090A
- 公开(公开)日:2011.04.13
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法 | ||
申请号 | CN201010594825.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102011090A | 公开(授权)日 | 2011.04.13 |
申请(专利权)人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明(设计)人 | 汪爱英;陈锋光;孙丽丽 |
主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
专利有效期 | 一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法 至一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法,该基体与TiAlN/TiAlCN多层膜涂层之间为过渡涂层,该多层膜涂层由TiAlN膜与TiAlCN膜交替层叠形成周期排列,在一个周期中,TiAlN膜与TiAlCN膜的厚度之和为1纳米~20纳米,TiAlCN膜中C原子的原子百分含量为0.1%~5%。本发明的多层膜涂层具有高硬度、低内应力以及高韧性,能够提高基体的切削效率与抗腐蚀性,延长基体的使用寿命。本发明通过高功率脉冲磁控溅射技术沉积该多层膜涂层,克服了阴极电弧离子镀沉积速率太快无法制备纳米外延膜,以及直流磁控溅射制备薄膜过程中发生靶中毒的问题,通过调节基体的自转和公转速率以及调节对靶的数量,达到控制纳米调制周期的目的。 |
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