专利详情

专利名称	硅基自锐式AFM探针的制备方法
申请号	CN201010503888.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102012439A	公开（授权）日	2011.04.13
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李加东;吴东岷
主分类号	G01Q60/38(2010.01)I	IPC主分类号	G01Q60/38(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	硅基自锐式AFM探针的制备方法至硅基自锐式AFM探针的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种硅基自锐式AFM探针的制备方法，采用顶层硅厚度等于AFM探针针尖高度与悬臂梁厚度之和的双抛双氧SOI片为制备原料，在制备原料的顶面对应AFM探针针尖的位置光刻设置一针尖掩膜，在针尖掩膜的保护下通过完全的湿法腐蚀使针尖自行锐化，直至针尖掩膜脱落、一次成型具有纳米级针尖的AFM探针。应用本发明的技术方案按步骤实施，真正实现了湿法腐蚀一次成型纳米级针尖的AFM探针制作，解决了探针针尖需氧化工艺锐化的问题，进一步降低了AFM探针的制作成本。