专利详情

专利名称	一种光刻机真空曝光装置
申请号	CN201010605511.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102012642A	公开（授权）日	2011.04.13
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	邢薇;胡松;赵立新;徐文祥;胡淘;陈磊
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I
专利有效期	一种光刻机真空曝光装置至一种光刻机真空曝光装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是一种光刻机真空曝光装置，包括：掩模台、掩模板、硅片、密封胶圈、承片台、两个气嘴、柔性铰链、升降台、第一气嘴和真空气嘴；掩模板放在掩模台上，硅片放在承片台上，密封胶圈套在承片台的外侧，承片台通过柔性铰链与升降台相连；掩摸台位于承片台上方，掩摸台上开有V形槽，承片台上开有V形槽，通过对在掩模台上的V形槽与承片台上的V形槽进行抽真空操作，使硅片与掩摸板有良好接触。能够使待曝光的硅片处于真空环境中，克服了其他气体对光刻产生的光折射或反射的影响，提高了硅片的光刻分辨率。