专利详情

专利名称	制备纳米晶电阻转换材料的方法
申请号	CN201010289914.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102011089A	公开（授权）日	2011.04.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;吴关平;张超;封松林;陈邦明
主分类号	C23C14/06(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;B32B5/16(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	制备纳米晶电阻转换材料的方法至制备纳米晶电阻转换材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。